An optical semiconductor device to increase optical communication speed has
a silicon substrate with an etched V-shaped first groove portion, a light
emitting element which has an optical axis in the direction of the first
groove portion and is mounted to the upper surface of the silicon
substrate, and a high NA aspheric lens is mounted in the first groove
portion. The first groove portion is composed of first and second opposing
inclined surfaces and a third inclined surface perpendicular to the first
and second inclined surfaces. A slit is cut in the silicon substrate
extends in a direction perpendicular to the direction of the first groove
portion and includes the first, second, and third inclined surfaces. The
aspheric lens is mounted to the first and second inclined surfaces and has
a part thereof protruding in the slit.
Un dispositif de semi-conducteur optique pour augmenter la vitesse de communication optique a un substrat de silicium avec une première partie en forme de V gravée à l'eau-forte de cannelure, un élément d'émission léger qui a un axe optique dans la direction de la première partie de cannelure et est monté sur l'extrados du substrat de silicium, et un haut objectif asphérique de Na est monté dans la première partie de cannelure. La première partie de cannelure se compose des surfaces inclinées de d'abord et en second lieu d'opposition et une troisième perpendiculaire extérieure inclinée sur les premières et deuxièmes surfaces inclinées. Une fente est coupée dedans le substrat de silicium se prolonge dans une perpendiculaire de direction à la direction de la première partie de cannelure et inclut la première, l'en second lieu, et les troisième surfaces inclinées. L'objectif asphérique est monté sur les premières et deuxièmes surfaces inclinées et a une pièce dépasser en dans la fente.
