An integrated circuit that is capable of being burn-in tested with an AC
stress and a testing method using the same are provided. The integrated
circuit includes an address transforming means and a data generating
means. The address transforming means transforms the addresses of the
memory device selected and generates an address signal responsive to a
clock signal. The data generating means generates a data signal that
alternates between a first state and a second state responsive to the
clock signal and provides the data signal to the selected memory device.
The integrated circuit includes a switch for coupling the test supply line
to the normal supply line during testing and intercepting the test supply
line from the normal supply line during normal operations responsive to a
control signal. The integrated circuit of the present invention allows a
wafer burn-in test by sequentially and repeatedly applying the AC stress
to all the memory devices.
Se proporciona un circuito integrado que es capaz de ser marcar a fuego probó con una tensión de la CA y un método de prueba que usaban igual. El circuito integrado incluye medios que transforman de una dirección y datos que generan medios. Los medios que transforman de la dirección transforman las direcciones del dispositivo de memoria seleccionado y generan una señal de la dirección responsiva a una señal del reloj. Los datos que generan medios generan una señal de los datos que los suplentes entre un primer estado y un segundo estado responsivos a la señal del reloj y proporcionen la señal de los datos al dispositivo de memoria seleccionado. El circuito integrado incluye un interruptor para juntar la línea de fuente de la prueba a la línea de fuente normal durante la prueba e interceptar de la línea de fuente de la prueba de la línea de fuente normal durante las operaciones normales responsivas a una señal de control. El circuito integrado de la actual invención permite una prueba del marcar a fuego de la oblea cerca secuencialmente y en varias ocasiones aplicando la tensión de la CA a todos los dispositivos de memoria.
