A method for fabricating a non-volatile memory device. The method includes
providing a substrate, e.g., silicon. The method also includes forming an
oxide layer overlying the substrate; and forming a buffer layer overlying
the oxide layer. A ferroelectric material is formed overlying the
substrate and is formed preferably overlying the buffer layer. The method
also includes forming a gate layer overlying the ferroelectric material,
where the gate layer is overlying a channel region. The method further
includes forming first source/drain region adjacent to a first side of the
channel region and a second source/drain region adjacent to a second side
of the channel region. In other embodiments, the method can also include
other steps.
Un método para fabricar un dispositivo de memoria permanente. El método incluye el abastecimiento de un substrato, e.g., silicio. El método también incluye la formación de una capa del óxido que cubre el substrato; y formando una capa del almacenador intermediario que cubre la capa del óxido. Un material ferroelectric se forma que cubre el substrato y se forma que cubre preferiblemente la capa del almacenador intermediario. El método también incluye la formación de una capa de la puerta que cubre el material ferroelectric, donde la capa de la puerta está cubriendo una región del canal. El método más futuro incluye la formación de la primera región de source/drain adyacente a un primer lado de la región del canal y de una segunda región de source/drain adyacente a un segundo lado de la región del canal. En otras encarnaciones, el método puede también incluir otros pasos.
