In a semiconductor device having a structure in which a semiconductor chip
is bonded to a surface of a solid device (a semiconductor chip, a wiring
substrate or the like), the semiconductor device is thinned. A primary
chip 31 and a secondary chip 32 are bonded together with the active
surfaces thereof being opposed to each other to form a chip-on-chip
structure. The primary chip 31 has bumps BE for outer connection on the
outer side of the secondary chip 32. The bumps BE are connected to a
surface of an interposed substrate 33. In the inner region of the
interposed substrate 33, a through hole 40 for containing the secondary
chip 32 is provided. A heat radiating plate 45 is bonded to the inert
surface of the primary chip 31. The primary chip 31 and the secondary chip
32 can be well heat-radiated.
In einem Halbleiterelement, das eine Struktur, in der ein Halbleiterspan wird abgebunden zu einer Oberfläche einer festen Vorrichtung (ein Halbleiterspan, ein Verdrahtung Substrat oder dergleichen) hat, wird das Halbleiterelement verdünnt. Ein Primärspan 31 und ein Sekundärspan 32 werden zusammen mit den aktiven Oberflächen abgebunden, die davon miteinander entgegengesetzt werden, um eine Span-auf-Span Struktur zu bilden. Der Primärspan 31 läßt Stösse für äußeren Anschluß auf der äußeren Seite des Sekundärspanes 32 SEIN. Die Stösse SIND werden angeschlossen an eine Oberfläche eines vermittelten Substrates 33. In der inneren Region des vermittelten Substrates 33, wird a durch Bohrung 40 für das Enthalten des Sekundärspanes 32 zur Verfügung gestellt. Eine Hitzeausstrahlenplatte 45 wird zur trägen Oberfläche des Primärspanes 31 abgebunden. Der Primärspan 31 und der Sekundärspan 32 können gut Hitze-ausgestrahlt werden.