In an ESD protection device using a LVTSCR-like structure, the holding
voltage is increased by placing the p+ emitter outside the drain of the
device, thereby retarding the injection of holes from the p+ emitter. The
p+ emitter may be implemented in one or more emitter regions formed
outside the drain. The drain is split between a n+ drain and a floating n+
region near the gate to avoid excessive avalanche injection and resultant
local overheating.
di dispositivo di protezione di ESD usando una struttura di LVTSCR-like, la tensione della tenuta è aumentata disponendo l'emettitore di p+ fuori dello scolo del dispositivo, quindi ritardante l'iniezione dei fori dall'emettitore di p+. L'emettitore di p+ può essere effettuato in una o più regioni dell'emettitore formate fuori dello scolo. Lo scolo è spaccato fra uno scolo di n+ e una regione di galleggiante di n+ vicino al cancello per evitare l'iniezione eccessiva della valanga ed il surriscaldamento locale di risultante.
