The invention provides a stubstrate for an electronic device including a
conductive oxide layer which is formed by epitaxial growth with cubic
crystal (100) orientation or pseudo-cubic crystal (100) orientation and
which contains a metal oxide having a perovskite structure, a method for
manufacturing a substrate for an electronic device, and an electronic
device provided with such a substrate for an electronic device. A
stubstrate for an electronic device includes a Si substrate, a buffer
layer which is formed by epitaxial growth on the Si substrate and which
contains a metal oxide having a NaCl structure, and a conductive oxide
layer which is formed by epitaxial growth with cubic crystal (100)
orientation or pseudo-cubic crystal (100) orientation on the buffer layer
and which contains a metal oxide having a perovskite structure. The Si
substrate is preferably a (100) substrate or a (110) substrate from which
a natural oxidation film is not removed. The buffer layer preferably has
an average thickness of 10 nm or less.
Η εφεύρεση παρέχει ένα stubstrate για μια ηλεκτρονική συσκευή συμπεριλαμβανομένου ενός αγώγιμου στρώματος οξειδίων που διαμορφώνεται από την κρυσταλλική αύξηση με τον κυβικό προσανατολισμό κρυστάλλου (100) ή τον ψευδοκυβικό προσανατολισμό κρυστάλλου (100) και που περιέχει ένα μεταλλικό οξείδιο που έχει μια perovskite δομή, μια μέθοδο για ένα υπόστρωμα για μια ηλεκτρονική συσκευή, και μια ηλεκτρονική συσκευή παρασημένη ένα τέτοιο υπόστρωμα για μια ηλεκτρονική συσκευή. Ένα stubstrate για μια ηλεκτρονική συσκευή περιλαμβάνει ένα υπόστρωμα Si, ένα στρώμα απομονωτών που διαμορφώνεται από την κρυσταλλική αύξηση στο υπόστρωμα Si και που περιέχει ένα μεταλλικό οξείδιο που έχει μια δομή NaCl, και ένα αγώγιμο στρώμα οξειδίων που διαμορφώνεται από την κρυσταλλική αύξηση με τον κυβικό προσανατολισμό κρυστάλλου (100) ή τον ψευδοκυβικό προσανατολισμό κρυστάλλου (100) στο στρώμα απομονωτών και που περιέχει ένα μεταλλικό οξείδιο που έχει μια perovskite δομή. Το υπόστρωμα Si είναι κατά προτίμηση ένα (100) υπόστρωμα ή ένα (110) υπόστρωμα από τα οποία μια φυσική ταινία οξείδωσης δεν αφαιρείται. Το στρώμα απομονωτών έχει κατά προτίμηση ένα μέσο πάχος 10 NM ή λιγότερων.
