A semiconductor memory incorporates cylinder-type stacked capacitors. Each
capacitor has a lower electrode and an upper electrode facing each other
via a dielectric film. The lower electrode of each capacitor is supported
by a beam-like insulator at a side portion of the electrode, the side
portion being apart from a lower edge of the lower electrode.
Una memoria de semiconductor incorpora el cilindro-tipo condensadores apilados. Cada condensador tiene revestimientos de un electrodo más bajo y de un electrodo del alto vía una película dieléctrica. El electrodo más bajo de cada condensador es apoyado por a viga-como aislador en una porción lateral del electrodo, la porción lateral que está aparte de un borde más bajo del electrodo más bajo.
