A transverse JFET of SiC, employing an n-type SiC substrate and comprising
a channel region having carriers of high mobility, bringing a high yield
is obtained. This transverse JFET comprises an n-type SiC substrate (1n),
a p-type SiC film (2) formed on the right face of the n-type SiC
substrate, an n-type SiC film (3), including a channel region (11), formed
on the p-type SiC film, source and drain regions (22, 23) formed on the
n-type SiC film separately on both sides of the channel region
respectively, and a gate electrode (14) provided in contact with the
n-type SiC substrate (1n).
Un JFET transversal de SiC, utilisant un n-type substrat de SiC et comportant une région de canal ayant des porteurs de mobilité élevée, apportant un rendement élevé est obtenu. Ce JFET transversal comporte un n-type le substrat de SiC (1n), un p-type le film de SiC (2) formé sur le visage droit du n-type substrat de SiC, un n-type le film de SiC (3), y compris une région de canal (11), formée sur le p-type film de SiC, source et régions de drain (22, 23) formées sur le n-type film de SiC séparément des deux côtés de la région de canal respectivement, et une électrode de porte (14) a fourni en contact avec le n-type le substrat de SiC (1n).