Multilayered reflective membrane and gallium nitride-based light emitting element
A gallium nitride-based multilayered reflective membrane with an excellent crystallinity while keeping a high reflectivity and a gallium nitride-based light emitting element using such a multilayered reflective are provided. The multilayered reflective membrane includes an Al.sub.a Ga.sub.1-a N layer (0 Ein Gallium Nitrid-gründete vielschichtige reflektierende Membrane mit einer ausgezeichneten Kristallinität beim Halten eines hohen Reflexionsvermögens und ein Gallium Nitrid-gegründetes helles ausstrahlendes Element, das solch ein vielschichtiges reflektierendes verwendet, werden zur Verfügung gestellt. Die vielschichtige reflektierende Membrane schließt eine Al.sub.a Ga.sub.1-a N Schicht ein (0
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< Base for a NPN bipolar transistor
< Semiconductor light emitting device having gallium nitride based compound semiconductor layer
> Transverse junction field effect transistor
> Memory structure with a ferroelectric capacitor
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