The present invention relates to an electroless-plating liquid useful for
forming a protective film for selectively protecting surface of exposed
interconnects of a semiconductor device which has an embedded interconnect
structure formed by an electric conductor, such as copper or silver,
embedded in fine recesses for interconnects formed in a surface of a
semiconductor substrate, and also to a semiconductor device in which
surfaces of exposed interconnects are selectively protected with a
protective film. The electroless-plating liquid contains cobalt ions, a
complexing agent and a reducing agent containing no alkali metal.
La actual invención se relaciona con una electroless-galjanoplastia que útil líquido para formar una película protectora para la superficie selectivamente de protección de expuesto interconecta de un dispositivo de semiconductor para el cual haga una estructura encajada de la interconexión formar por un conductor eléctrico, tal como cobre o plata, encajada en las hendiduras finas interconecte formado en una superficie de un substrato del semiconductor, y también a un dispositivo de semiconductor en el cual las superficies de expuesto interconecten se protegen selectivamente con una película protectora. El líquido de la electroless-galjanoplastia contiene iones del cobalto, un agente complexing y un agente de reducción que no contiene ningún metal alcalino.
