A composition for use in semiconductor processing wherein the composition
comprises water, phosphoric acid, and an organic acid; wherein the organic
acid is ascorbic acid or is an organic acid having two or more carboxylic
acid groups (e.g., citric acid). The water can be present in about 40 wt.
% to about 85 wt. % of the composition, the phosphoric acid can be present
in about 0.01 wt. % to about 10 wt. % of the composition, and the organic
acid can be present in about 10 wt. % to about 60 wt. % of the
composition. The composition can be used for cleaning various surfaces,
such as, for example, patterned metal layers and vias by exposing the
surfaces to the composition.
Una composizione per uso in semiconduttore che procede in cui la composizione contiene l'acqua, l'acido fosforico e un acido organico; in cui l'acido organico è acido ascorbico o è un acido organico che ha gruppi dell'acido due o più carbossilici (per esempio, acido citrico). L'acqua può essere presente in circa 40 pesi. % a circa 85 pesi % della composizione, l'acido fosforico possono essere presenti in circa 0.01 pesi % a circa 10 pesi % della composizione e l'acido organico può essere presente in circa 10 pesi % a circa 60 pesi % della composizione. La composizione può essere usata per le varie superfici di pulizia, come, per esempio, strati e vias modellati del metallo esponendo le superfici alla composizione.
