A semiconductor device comprises a semiconductor substrate having
semiconductor elements integrally formed therein, a wiring layer formed on
the surface of the semiconductor substrate, and a conductive connecting
plug formed in a through-hole extending through the semiconductor
substrate, wherein the connecting plug has a region whose cross section
parallel to the upper surface of the semiconductor substrate has an area
smaller than the area of each of upper and lower surfaces of the
connecting plug.
Een halfgeleiderapparaat bestaat uit een halfgeleidersubstraat dat daarin volledig gevormde halfgeleiderelementen, een bedradingslaag heeft die op de oppervlakte van het halfgeleidersubstraat wordt, en een geleidende verbindende stop die in een door-gat wordt gevormd gevormd dat zich door het halfgeleidersubstraat uitbreidt, waarin de verbindende stop een gebied heeft van wie dwarsdoorsnede parallel met de hogere oppervlakte van halfgeleider het substraat een gebied kleiner dan het gebied van elk van hogere en lagere oppervlakten van de verbindende stop heeft.
