A low-k dielectric metal conductor interconnect structure having no
micro-trenches present therein and a method of forming such a structure
are provided. Specifically, the above structure is achieved by providing
an interconnect structure which includes at least a multilayer of
dielectric materials which are applied sequentially in a single spin apply
tool and then cured in a single step and a plurality of patterned metal
conductors within the multilayer of spun-on dielectrics. The control over
the conductor resistance is obtained using a buried etch stop layer having
a second atomic composition located between the line and via dielectric
layers of porous low-k dielectrics having a first atomic composition. The
inventive interconnect structure also includes a hard mask which assists
in forming the interconnect structure of the dual damascene-type. The
first and second composition are selected to obtain etch selectivity of at
least 10 to 1 or higher, and are selected from specific groups of porous
low-k organic or inorganic materials with specific atomic compositions and
other discoverable quantities.
Une basse-k structure diélectrique d'interconnexion de conducteur en métal n'ayant aucun micro-fossé actuel là-dedans et une méthode de former une telle structure sont fournies. Spécifiquement, la structure ci-dessus est réalisée en fournissant une structure d'interconnexion qui inclut au moins un multicouche des matériaux diélectriques qui sont appliqués séquentiellement dans une rotation simple appliquent l'outil et alors traitents dans un pas à pas et une pluralité de conducteurs modelés en métal dans le multicouche de tourner-sur des diélectriques. Le contrôle de la résistance de conducteur est obtenu en utilisant une couche enterrée d'arrêt gravure à l'eau forte ayant une deuxième composition atomique située entre la ligne et par l'intermédiaire des couches diélectriques de bas-k diélectriques poreux ayant une première composition atomique. La structure inventive d'interconnexion inclut également un masque dur qui aide en formant la structure d'interconnexion du Damascène-type duel. La première et deuxième composition sont choisies pour obtenir la sélectivité gravure à l'eau forte au moins de 10 à de 1 ou de plus haut, et sont choisies parmi les groupes spécifiques de bas-k matériaux organiques ou inorganiques poreux avec les compositions atomiques spécifiques et d'autres quantités discoverable.
