A semiconductor device comprising semiconductor chips each formed with
plural pads at the main surface, chip parts each formed with connection
terminals at both ends thereof, a module substrate on which the
semiconductor chips and the chip parts are mounted, solder connection
portions for connecting the chip parts and the substrate terminals of the
module substrate by soldering, gold wires for connecting the pads of the
semiconductor chips and corresponding substrate terminals of the module
substrate, and a sealing portion formed with a low elasticity resin such
as an insulative silicone resin or a low elasticity epoxy resin for
covering the semiconductor chips, chip parts, solder connection portions
and gold wires which prevents flow out of the solder in the solder
connection portion by re-melting thereby preventing short-circuit.
Ein Halbleiterelement, das Halbleiter enthält, bricht jedes ab, das mit plural Auflagen an der Hauptoberfläche gebildet wird, Span zerteilt jedes, das mit Anschlußanschlüssn an beiden Enden davon gebildet wird, auf denen ein Modulsubstrat die Halbleiterspäne und die Spanteile angebracht werden, Lötmittelanschluß einteilt für das Anschließen der Spanteile und der Substratanschlüß des Modulsubstrates, indem es, der Goldlötet, leitungen für das Anschließen der Auflagen der Halbleiterspäne und der entsprechenden Substratanschlüß des Modulsubstrates und des Dichtung Teils, der mit einem niedrigen Elastizitätharz wie einem insulative Silikonharz oder einem Epoxidharz der niedrigen Elastizität für das Bedecken der Halbleiterspäne, der Spanteile, der Lötmittelanschlußteile und der Goldleitungen, das, gebildet wird verhindert fließen Sie aus dem Lötmittel heraus in den Lötmittelanschlußteil, indem Sie dadurch verhindernden Kurzschluß umschmelzen.