A thinned semiconductor die is coupled to an integrated heat spreader with
thermal interface material to form a semiconductor package. The method for
forming the package comprises forming a metallization layer on a backside
of a thinned semiconductor die. A thermal interface portion, including a
solder layer including a fluxlessly-capable solder such as AuSn, is formed
on the topside of the integrated heat spreader. The metallization layer
and the solder layer are then forced together under load and heat without
flux to bond the semiconductor die to the integrated heat spreader.
Ένας κύβος ημιαγωγών συνδέεται με έναν ενσωματωμένο διαστολέα θερμότητας με το θερμικό υλικό διεπαφών για να διαμορφώσει μια συσκευασία ημιαγωγών. Η μέθοδος για τη συσκευασία περιλαμβάνει τη διαμόρφωση ενός στρώματος επιμετάλλωσης σε μια πίσω πλευρά ενός κύβου ημιαγωγών. Μια θερμική μερίδα διεπαφών, συμπεριλαμβανομένου ενός στρώματος ύλης συγκολλήσεως συμπεριλαμβανομένης μιας φλuξλεσσλυ-ικανής ύλης συγκολλήσεως όπως AuSn, διαμορφώνεται στην επάνω πλευρά του ενσωματωμένου διαστολέα θερμότητας. Το στρώμα επιμετάλλωσης και το στρώμα ύλης συγκολλήσεως αναγκάζονται έπειτα μαζί κάτω από το φορτίο και τη θερμότητα χωρίς ροή να συνδέσουν τον κύβο ημιαγωγών με τον ενσωματωμένο διαστολέα θερμότητας.
