An electronic device is provided using wiring comprising aluminum to
prevent hillock or whisker from generating, wherein the wiring contains
oxygen atoms at a concentration of 8.times.10.sup.18
atoms.multidot.cm.sup.-3 or less, carbon atoms at a concentration of
5.times.10.sup.18 atoms.multidot.cm.sup.-3 or less, and nitrogen atoms at
a concentration of 7.times.10.sup.17 atoms.multidot.cm.sup.-3 or less;
furthermore, a silicon nitride film is formed on the aluminum gate, and an
anodic oxide film is formed on the side planes thereof.
Un dispositivo elettronico è fornito per mezzo dei collegamenti che contengono l'alluminio per impedire il hillock o le basette la generazione, in cui i collegamenti contengono gli atomi di ossigeno ad una concentrazione di 8.times.10.sup.18 atoms.multidot.cm.sup.-3 o di meno, gli atomi di carbonio ad una concentrazione di 5.times.10.sup.18 atoms.multidot.cm.sup.-3 o di meno e gli atomi dell'azoto ad una concentrazione di 7.times.10.sup.17 atoms.multidot.cm.sup.-3 o di meno; ancora, una pellicola del nitruro di silicio è formata sul cancello di alluminio e una pellicola anodica dell'ossido è formata sugli aerei laterali di ciò.
