Metal film semiconductor device and a method for forming the same

   
   

A method for forming a metal film including forming a metal barrier layer on a surface of a substrate, on a bottom surface of a recess and on sidewalls of the recess, forming a first metal film on the substrate but not in the recess, treating the first metal film with nitrogen plasma to form an insulation film including nitrogen, forming a second metal film on a portion of the metal barrier layer in the recess, and forming a third metal film on the substrate, the recess and the insulation film.

Um método para dar forma a uma película do metal including dar forma a uma camada de barreira do metal em uma superfície de uma carcaça, em uma superfície inferior de um rebaixo e nos sidewalls do rebaixo, dando forma a uma primeira película do metal na carcaça mas não no rebaixo, tratando a primeira película do metal com o plasma do nitrogênio para dar forma a uma película da isolação including o nitrogênio, dando forma a uma segunda película do metal em uma parcela da camada de barreira do metal no rebaixo, e dando forma a uma terceira película do metal na carcaça, no rebaixo e na película da isolação.

 
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