An electron source substrate has an electron-emitting device consisting of
a pair of device electrodes and an electroconductive thin film having an
electron-emitting region; and metal wiring coupled to the device
electrodes and made in a composition different from that of the device
electrodes, on a substrate. A shortest distance between the conductive
thin film and the metal wiring along an interface between the device
electrodes and the substrate is not less than 50 .mu.m. This configuration
is able to effectively prevent diffusion of the wiring metal to the
conductive thin film and to the electron-emitting region which can cause
degradation of electron emission characteristics.
Een elektronen bronsubstraat heeft een elektron-uitzendend apparaat dat uit een paar van apparatenelektroden en een electroconductive dunne film bestaat die een elektron-uitzendend gebied heeft; en metaal de bedrading koppelde aan de apparatenelektroden en maakte in een samenstelling verschillend van dat van de apparatenelektroden, op een substraat. Een kortste afstand tussen de geleidende dunne film en de metaal bedrading langs een interface tussen de apparatenelektroden en het substraat is niet minder dan mu.m. 50 Deze configuratie kan verspreiding van het bedradingsmetaal aan de geleidende dunne film en aan het elektron-uitzendend gebied effectief verhinderen dat degradatie van de kenmerken van de elektronenemissie kan veroorzaken.
