The semiconductor device of the present invention comprises a substrate; at
least one through hole formed through the substrate between front and back
surfaces of the substrate; an electrical connection portion formed by a
semiconductor process on at least one surface of the front and back
surfaces of the substrate in a vicinity of an end opening of the through
hole; an insulating layer formed of an organic material on an inside
surface of the through hole; and an electroconductive layer formed on an
inside surface of the insulating layer, wherein the electrical connection
portion is electrically connected to the electroconductive layer to be
electrically connected to a side of the other surface of the substrate.
Прибора на полупроводниках присытствыющего вымысла состоит из субстрата; по крайней мере одно через отверстие сформировало через субстрат между фронтом и задними поверхностями субстрата; электрическая часть соединения сформировала процессом полупроводника на по крайней мере одной поверхности фронта и задних поверхностях субстрата в близости отверстия конца сквозного отверстия; изолируя слой сформировал органического материала на внутренней поверхности сквозного отверстия; и электрокондуктивный слой сформировал на внутренней поверхности изолируя слоя, при котором электрическая часть соединения электрически подключена к электрокондуктивному слою электрически, котор нужно соединиться к стороне другой поверхности субстрата.
