A light-emitting-element array has a semiconductor layer formed on a
current-blocking layer. Light-emitting elements are formed in the
semiconductor layer by diffusion of an impurity of a different conductive
type. An isolation trench divides the semiconductor layer into a first
region and a remaining region, and divides the array of light-emitting
elements into segments disposed alternately in these two regions, each
segment preferably including one or two light-emitting elements. A first
shared interconnecting pad is electrically coupled to the light-emitting
elements in the first region by electrical paths not crossing the
isolation trench. A second shared interconnecting pad is electrically
coupled to light-emitting elements in the remaining semiconductor region
by electrical paths crossing the isolation trench. The array can then be
driven by a number of separate interconnecting pads equal to half the
number of the light-emitting elements.
Une rangée d'lumière-émettre-élément a une couche de semi-conducteur formée sur une couche deblocage. Des éléments luminescents sont formés dans la couche de semi-conducteur par diffusion d'une impureté d'un type conducteur différent. Un fossé d'isolement divise la couche de semi-conducteur en première région et région restante, et divise le choix d'éléments luminescents en segments disposés alternativement dans ces deux régions, chaque segment de préférence comprenant un ou deux éléments luminescents. D'abord partagé reliant ensemble la garniture est électriquement couplé aux éléments luminescents dans la première région par les chemins électriques ne croisant pas le fossé d'isolement. Une deuxième garniture reliante ensemble partagée est électriquement couplée aux éléments luminescents dans la région de semi-conducteur restante par les chemins électriques croisant le fossé d'isolement. La rangée peut alors être conduite par un certain nombre de garnitures reliantes ensemble séparées égales à la moitié du nombre d'éléments luminescents.
