A high speed programmable ROM, a memory cell structure therefor, and a
method for writing data on/reading data from the programmable ROM are
provided. The programmable ROM system has a plurality of memory cell, each
of which has a gate, a first electrode, and a second electrode; a
plurality of word lines, each of which is connected to the gates of a
predetermined number of cells of the plurality of memory cells; a
plurality of bit lines, each of which is connected to the first electrodes
of a predetermined number of memory cells of the plurality of memory cells
and is arranged in a direction substantially perpendicular to the word
lines; and a plurality of virtual ground lines, each of which is
selectively connected to ground in response to control signals, and is
arranged in a direction actually perpendicular to the word lines, wherein
the plurality of memory cells are programmed to predetermined logic levels
by selectively connecting the second electrode of each of the plurality of
memory cells to the plurality of virtual ground lines. The high speed
programmable ROM system selectively connects the source of a cell
transistor to a virtual ground line according to ROM data such that the
capacitance of a bit line can be maintained at a predetermined level
without becoming excessively great or small. Thus, the operation speed of
the programmable ROM increases and misreading programmed data is
minimized.
Обеспечены высокоскоростной programmable rom, структура ячейкы памяти therefor, и метод для писания данных по данных on/reading от programmable rom. Programmable система rom имеет множественность ячейкы памяти, каждое из которой имеет строб, первый электрод, и второй электрод; множественность слова выравнивается, каждое из которой соединено к стробам предопределенного количества клеток множественности ячейкы памяти; множественность бита выравнивается, каждое из которой соединено к первым электродам предопределенного количества ячейкы памяти множественности ячейкы памяти и аранжировано в направлении существенн перпендикулярном к линиям слова; и множественность фактически земных линий, каждое из которых селективно соединено к земле in response to сигналы управления, и аранжирована в направлении фактическ перпендикулярном к линиям слова, при котором множественность ячейкы памяти запрограммирована к предопределенным уровням логики селективным подключением второго электрода каждой из множественности ячейкы памяти к множественности фактически земных линий. Высокоскоростная programmable система rom селективно подключает источник транзистора клетки к фактически земной линии согласно данным по rom такие что емкость линии бита можно поддерживать на предопределенном уровне без быть чрезмерно больш или мала. Таким образом, скорость деятельности programmable rom увеличивает и misreading запрограммированные данные уменьшит.
