The semiconductor device comprises a gate electrode 26 formed on a
semiconductor substrate 10, a source region 45a having a lightly doped
source region 42a and a heavily doped source region 44a, a drain region
45b having a lightly doped drain region 42b and a heavily doped drain
region 44b, a first silicide layer 40c formed on the source region, a
second silicide layer 40d formed on the drain region, a first conductor
plug 54 connected to the first silcide layer and a second conductor plug
54 connected to the second silicide layer. The heavily doped drain region
is formed in the region of the lightly doped region except the peripheral
region, and the second silicide layer is formed in the region of the
heavily doped drain region except the peripheral region. Thus, the
concentration of the electric fields on the drain region can be mitigated
when voltages are applied to the drain region. Thus, even with the
silicide layer formed on the source/drain region, sufficiently high
withstand voltages of the high withstand voltage transistor can be
ensured. Furthermore, the drain region alone has the above-described
structure, whereby the increase of the source-drain electric resistance
can be prevented while high withstand voltages can be ensured.
Het halfgeleiderapparaat bestaat uit een poortelektrode 26 die op een halfgeleidersubstraat 10, een brongebied 45a een licht gesmeerd brongebied 42a en een zwaar gesmeerd brongebied 44a wordt gevormd die, een afvoerkanaalgebied 45b een licht gesmeerd afvoerkanaalgebied 42b hebben en een zwaar gesmeerd afvoerkanaalgebied 44b, een eerste silicide laag 40c hebben die op het brongebied wordt gevormd, een tweede silicide laag 40d die op het afvoerkanaalgebied wordt gevormd, een eerste leiderstop 54 die met de eerste silcidelaag wordt verbonden en een tweede leiderstop 54 die die met de tweede silicide laag wordt verbonden. Het zwaar gesmeerde afvoerkanaalgebied wordt gevormd in het gebied van het licht gesmeerde gebied behalve het randgebied, en de tweede silicide laag wordt gevormd in het gebied van het zwaar gesmeerde afvoerkanaalgebied behalve het randgebied. Aldus, kan de concentratie van de elektrische velden op het afvoerkanaalgebied worden verlicht wanneer de voltages worden toegepast op het afvoerkanaalgebied. Aldus, zelfs met de silicide laag die op bron wordt gevormd/afvoerkanaal weerstaat het voldoende hoge gebied, voltages van de hoogte weerstaat voltagetransistor kan worden verzekerd. Voorts heeft het afvoerkanaalgebied alleen de hierboven beschreven structuur, waardoor de verhoging van de bron-afvoerkanaal elektrische weerstand kan worden verhinderd terwijl de hoogte voltages kan worden verzekerd weerstaat.
