The invention provides an electro-optical device that can include a pixel
electrode, a thin-film transistor (TFT) including a semiconductor layer
connected to the pixel electrode, and a data line and scanning line
connected to the TFT. The scanning line can include a narrow part as a
gate electrode facing a channel region in the semiconductor layer, and a
wide part not facing the channel region.
Such construction permits the electro-optical device to display high
quality images by preventing light from impinging the TFT.
Die Erfindung liefert eine elektrooptische Vorrichtung, die eine Pixelelektrode, einen Dünnfilmtransistor (TFT) einschließlich eine Halbleiterschicht, die an die Pixelelektrode angeschlossen wird, und eine Datenleitung und die Abtastunglinie einschließen kann, die an das TFT angeschlossen wird. Die Abtastunglinie kann ein schmales Teil wie eine Gate-Elektrode, die eine Führung Region in der Halbleiterschicht gegenüberstellt, und ein breites Teil einschließen, welches nicht die Führung Region gegenüberstellt. Solche Aufbauerlaubnis die elektrooptische Vorrichtung, hohe Qualitätsbilder durch das Verhindern des Lichtes am Zusammenstoßen des TFT anzuzeigen.
