Disclosed is a process for fabricating luminescent porous material, the
process comprising pre-treating a substrate (e.g. crystalline silicon)
with laser radiation (e.g from a Nd:YAG laser) in a predetermined pattern
followed by exposing the irradiated substrate to a chemical stain etchant
(e.g. HF:HNO.sub.3 :H.sub.2 O) to produce a luminescent nanoporous
material. Luminescent porous material having a luminescence maximum
greater than about 2100 meV may be produced by this method. Such
nanoporous materials are useful in optoelectronic and other semiconductor
devices.
Αποκαλύπτονται μια διαδικασία για το luminescent πορώδες υλικό, η διαδικασία περιλαμβάνοντας επεξεργαμένος εκ των προτέρων ένα υπόστρωμα (π.χ. κρυστάλλινο πυρίτιο) με την ακτινοβολία λέιζερ (π.χ. από ένα λέιζερ Nd:YAG) σε ένα προκαθορισμένο σχέδιο που ακολουθείται με την έκθεση του ακτινοβολημένου υποστρώματος σε έναν χημικό λεκέ etchant (π.χ. HF:HNO.sub.3 :H.sub.2 Ο) για να παραγάγει ένα luminescent nanoporous υλικό. Το luminescent πορώδες υλικό που έχει luminescence μέγιστο έναν μεγαλύτερο από περίπου 2100 meV μπορεί να παραχθεί μ' αυτό τον τρόπο. Τέτοια nanoporous υλικά είναι χρήσιμα στις οπτικοηλεκτρονικές και άλλες συσκευές ημιαγωγών.
