Semiconductor configuration and process for etching a layer of the semiconductor configuration using a silicon-containing etching mask

To increase the etching resistance and to reduce the etching rate of a silicon-containing mask layer, an additional substance is mixed into the mask layer or into an etching gas. The additional substance is present in the mask layer or a concentration of the additional substance can be subsequently increased in the mask layer. During a subsequent etching process for patterning using the mask layer, the mask layer is removed at a reduced etching rate.

Para aumentar a resistência gravura a água-forte e para reduzir a taxa gravura a água-forte de uma camada silicone-contendo da máscara, uma substância adicional é misturada na camada da máscara ou em um gás gravura a água-forte. A substância adicional está atual na camada da máscara ou uma concentração da substância adicional pode subseqüentemente ser aumentada na camada da máscara. Durante um processo subseqüente gravura a água-forte para modelar usando a camada da máscara, a camada da máscara é removida em uma taxa gravando reduzida.