A method and apparatus for reducing the contaminants in a wet etching bath
by rapidly removing a substantial portion of the etching liquid from the
bath such that the contaminants are removed from the air/liquid interface
of the bath surface is described. By rapidly removing a substantial
portion of the etching liquid from the bath, contaminants that are trapped
by eddy currents and liquid/air surface tension forces are greatly reduced
at the surface of the bath. The semiconductor wafers treated showed
reduced levels of contamination.
Un método y un aparato para reducir los contaminantes en un baño mojado de la aguafuerte rápidamente quitando una porción substancial del líquido de la aguafuerte del baño tales que los contaminantes están quitados del interfaz de air/liquid de la superficie del baño se describe. Rápidamente quitando una porción substancial del líquido de la aguafuerte del baño, los contaminantes que son atrapados por las fuerzas de las corrientes de Foucault y de la tensión de superficie de liquid/air son reducidos grandemente en la superficie del baño. Las obleas de semiconductor trataron niveles reducidos demostrados de la contaminación.
