A data storage device that includes a memory cell string. The memory cell
string includes a first memory cell and a second memory cell. The device
also includes a circuit coupled to a node between the first memory cell
and a second memory cell. The circuit is configured to detect a voltage
change at the node in response to a voltage being provided to the memory
cell string and the first memory cell being written to a first state.
Un dispositivo di memorizzazione di dati che include una stringa delle cellule di memoria. La stringa delle cellule di memoria include una prima cellula di memoria e una seconda cellula di memoria. Il dispositivo inoltre include un circuito accoppiato ad un nodo fra la prima cellula di memoria e una seconda cellula di memoria. Il circuito è configurato per rilevare un cambiamento di tensione al nodo in risposta ad una tensione che è fornita alla stringa delle cellule di memoria ed alla prima cellula di memoria che sono scritte ad un prima per dichiarare.
