Magnetic random access memories (MRAM) are disclosed. The MRAM stores
multi-level data by electronically coupling one diode and a plurality of
resistance transfer devices, thereby improving a storage capacity and
property of the device and achieving high integration thereof. The MRAM
may also include a diode, a word line electrically coupled to the diode, a
connection layer electrically coupled to the diode; and a plurality of
connection pairs each comprising a resistance transfer device and a bit
line electrically coupled to the resistance transfer device. One of the
connection pairs may be formed on the connection layer, and the bit line
of another connection pair may be perpendicular to the bit line of the
first connection pair.
Het magnetische directe toeganggeheugen (MRAM) wordt onthuld. MRAM slaat gegevens op verscheidene niveaus door één diode en een meerderheid van de apparaten van de weerstandsoverdracht elektronisch te koppelen op, daardoor daarvan verbeterend een opslagcapaciteit en een bezit van de apparaat en het bereiken hoge integratie. MRAM kan een diode, een woordlijn ook omvatten die elektrisch aan de diode, een verbindingslaag wordt gekoppeld die elektrisch aan de diode wordt gekoppeld; en een meerderheid van verbindingsparen elk die uit een apparaat van de weerstandsoverdracht en uit een beetjelijn bestaat die elektrisch aan het apparaat van de weerstandsoverdracht wordt gekoppeld. Één van de verbindingsparen kan op de verbindingslaag worden gevormd, en de beetjelijn van een ander verbindingspaar kan aan de beetjelijn van het eerste verbindingspaar loodrecht zijn.
