A ferromagnetic thin-film based digital memory cell with a memory film of
an anisotropic ferromagnetic material and with a source layer positioned
on one side thereof so that a majority of conduction electrons passing
therefrom have a selected spin orientation to be capable of reorienting
the magnetization of the film. A disruption layer is positioned on the
other side of the memory film so that conduction electrons spins passing
therefrom are substantially random in orientation. The magnitude of
currents needed to operate the cell can be reduced using coincident
thermal pulses to raise the cell temperature.
Een ferromagnetische thin-film gebaseerde digitale geheugencel met een geheugenfilm van een anisotroop ferromagnetisch materiaal en met een bronlaag die aan één kant daarvan wordt geplaatst zodat een meerderheid van geleidingselektronen die daarvan een geselecteerde rotatierichtlijn heeft kunnen de magnetisering van de film heroriënteren overgaan. Een verstoringslaag wordt geplaatst aan de andere kant van de geheugenfilm zodat de rotaties die van geleidingselektronen daarvan in richtlijn wezenlijk willekeurig zijn overgaan. De omvang stromen nodig om de cel in werking te stellen kan worden verminderd gebruikend samenvallende thermische impulsen om de celtemperatuur op te heffen.
