A self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating
gate memory cells in a semiconductor substrate has a plurality of spaced
apart isolation regions and active regions on the substrate substantially
parallel to one another in the column direction. Floating gates are formed
in each of the active regions by forming a conductive layer of material.
Trenches are formed in the row direction across the active regions, and
are filled with a conductive material to form blocks of conductive
material that are the control gates. Sidewall spacers of conductive
material are formed along the floating gate blocks to give the floating
gates protruding portions that extend over the floating gate.
Un método alineado uno mismo de formar un arsenal de memoria de semiconductor de células de memoria flotantes de la puerta en un substrato del semiconductor tiene una pluralidad de regiones separadas espaciadas del aislamiento y de regiones activas en el substrato substancialmente paralelo a uno otro en la dirección de la columna. Las puertas flotantes son formadas en cada uno de las regiones activas formando una capa conductora de material. Los fosos se forman en la dirección de la fila a través de las regiones activas, y se llenan de un material conductor para formar los bloques del material conductor que son las puertas del control. Los espaciadores del flanco del material conductor se forman a lo largo de los bloques flotantes de la puerta para dar las porciones que resaltan flotantes de las puertas que amplían el excedente la puerta flotante.