After profiles of two chips are recognized on intermediate stages and their
positions are corrected, collets are used as electrodes and a voltage is
applied to the chips on bonding stage on which the chips are bonded onto a
submount. Then, the respective two chips are allowed to emit light, final
position correction is performed on the basis of the light-emission point
data and bonding is performed. The two chips can be bonded at narrow
pitches by tilting the collets with respect to chip surfaces.
Consequently, two laser chips can be bonded at narrow pitches on one
submount in high position accuracy.
Après que des profils de deux morceaux soient identifiés sur les étapes intermédiaires et leurs positions sont corrigées, des bagues sont employées pendant que des électrodes et une tension est appliquées aux morceaux sur l'étape de liaison sur laquelle les morceaux sont collés sur un submount. Puis, les deux morceaux respectifs sont permis d'émettre léger, la correction finale de position est exécutée sur la base des données de point d'lumière-émission et la liaison est exécutée. Les deux morceaux peuvent être collés aux lancements étroits en inclinant les bagues en ce qui concerne des surfaces de morceau. En conséquence, deux morceaux de laser peuvent être collés aux lancements étroits sur un submount dans l'exactitude élevée de position.
