Semiconductor packaging

   
   

An electronic component and a method for making an electronic component are disclosed. The electronic component has a silicon package. The silicon package has a recess formed thereon in which a conductive region is placed. A bare die electronic device is disposed in the recess. The device has a top, a bottom, sides and a plurality of terminals, including a non-top terminal. The non-top terminal is electrically coupled to the conductive region. The electronic component is constructed by first creating a recess in a silicon wafer to a depth substantially equal to the first dimension of the bare die electronic device. A conductive material is applied to the recess. The electronic device is inserted into the recess so that the bottom terminal is coupled to the conductive material. A dielectric or other planarizing material is applied into the recess. Top and bottom contacts are then applied to form the electronic component so that it may be used as a ball grid array package. The top contact is electrically coupled to the top terminal of the electronic device and the bottom contact is coupled electrically to the conductive material.

Um componente eletrônico e um método para fazer um componente eletrônico são divulgados. O componente eletrônico tem um pacote do silicone. O pacote do silicone tem um rebaixo dado forma thereon em qual uma região condutora é colocada. Um dispositivo eletrônico do dado desencapado é disposto no rebaixo. O dispositivo tem um alto, um fundo, lados e um plurality dos terminais, including um terminal do non-alto. O terminal do non-alto é acoplado eletricamente à região condutora. O componente eletrônico é construído primeiramente criando um rebaixo em um wafer de silicone a uma profundidade substancialmente igual à primeira dimensão do dispositivo eletrônico do dado desencapado. Um material condutor é aplicado ao rebaixo. O dispositivo eletrônico é introduzido no rebaixo de modo que o terminal inferior seja acoplado ao material condutor. Um dielétrico ou o outro material planarizing são aplicados no rebaixo. Os contatos do alto e do fundo são aplicados então para dar forma ao componente eletrônico de modo que possa ser usado como um pacote da disposição da grade da esfera. O contato superior é acoplado eletricamente ao terminal superior do dispositivo eletrônico e o contato inferior é acoplado eletricamente ao material condutor.

 
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< Metal core integrated circuit package with electrically isolated regions and associated methods

< Integrated circuit having a device wafer with a diffused doped backside layer

> Semiconductor device

> Controlling interdiffusion rates in metal interconnection structures

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