Integrated circuits, semiconductor devices and methods for making the same
are described. Each embodiment shows a diffused, doped backside layer in a
device wafer that is oxide bonded to a handle wafer. The diffused layer
may originate in the device handle, in the handle wafer, in the bond oxide
or in an additional semiconductor layer of polysilicon or epitaxial
silicon. The methods use a thermal bond oxide or a combination of a
thermal and deposited oxide.
Описаны интегрированные цепи, прибора на полупроводниках и методы для делать эти же. Каждое воплощение показывает отраженный, данный допинг слой задней стороны в вафле приспособления которая будет окисью скрепленной к вафле ручки. Отраженный слой может возникнуть в ручке приспособления, в вафле ручки, в bond окиси или в дополнительном слое полупроводника polysilicon или эпитаксиального кремния. Методы используют термально bond окись или комбинацию восходящего потока теплого воздуха и депозированной окиси.
