According to one exemplary embodiment, a bipolar transistor comprises a
base having a top surface. The bipolar transistor might be a lateral PNP
bipolar transistor and the base may comprise, for example, N type single
crystal silicon. The bipolar transistor further comprises an emitter
having a top surface, where the emitter is situated on the top surface of
the base. The emitter may comprise P+ type single crystal
silicon-germanium, for example. The bipolar transistor further comprises
an electron barrier layer situated directly on the top surface of the
emitter. The electron barrier layer will cause an increase in the gain, or
beta, of the bipolar transistor. The electron barrier layer may be a
dielectric such as, for example, silicon oxide. In another embodiment, a
floating N+ region, instead of the electron barrier layer, is utilized to
increase the gain of the bipolar transistor.
Selon une incorporation exemplaire, un transistor bipolaire comporte une base ayant une surface supérieure. Le transistor bipolaire pourrait être un transistor bipolaire latéral de PNP et la base peut comporter, par exemple, le type silicium de N de cristal simple. Le transistor bipolaire autre comporte un émetteur ayant une surface supérieure, où l'émetteur est situé sur la surface supérieure de la base. L'émetteur peut comporter le type silicium-germanium de P+ de cristal simple, par exemple. Le transistor bipolaire autre comporte une couche-barrière d'électron située directement sur la surface supérieure de l'émetteur. La couche-barrière d'électron causera une augmentation du gain, ou bêta, du transistor bipolaire. La couche-barrière d'électron peut être un diélectrique comme, par exemple, oxyde de silicium. Dans une autre incorporation, une région flottante de N+, au lieu de la couche-barrière d'électron, est utilisée pour augmenter le gain du transistor bipolaire.
