To provide a semiconductor device that is capable of reduction in thickness
and high-density mounting, and that is simple in manufacturing process and
convenient for use. A wiring substrate is formed with a plurality of
opening portions. In each of the opening portions, a lower chip formed by
a wafer-level chip size package (WCSP) is received, and an upper chip is
placed on the lower chip. The composite including them is sealed by a
sealing body such as epoxy resin. Internal connection terminals of each
lower chip are electrically connected to pads of the corresponding upper
chip via wirings, through holes and bonding posts of the wiring substrate,
and wires.
Pour fournir un dispositif de semi-conducteur qui est capable de la réduction de l'épaisseur et du support à haute densité, et qui est simple dans le processus de fabrication et commode pour l'usage. Un substrat de câblage est formé avec une pluralité de parties d'ouverture. Dans chacune des parties d'ouverture, un morceau inférieur constitué par un paquet de taille de morceau de gaufrette-niveau (WCSP) est reçu, et un morceau supérieur est placé sur le morceau inférieur. Le composé comprenant elles est scellé par un corps de cachetage tel que la résine époxyde. Des bornes internes de raccordement de chaque morceau inférieur sont électriquement reliées aux garnitures du morceau supérieur correspondant par l'intermédiaire des câblages, par des trous et des poteaux collants du substrat de câblage, et des fils.
