Semiconductor component, trench structure transistor, trench MOSFET, IGBT, and field-plate transistor

   
   

A semiconductor component has a minimal size and area requirement. The semiconductor component is formed in a trench with wall regions and a bottom region. Terminal regions for the electrical connection of first and second contact regions (S, B) are formed at least partly within the trench (30).

Un composant de semi-conducteur a une condition minimale de taille et de secteur. Le composant de semi-conducteur est formé dans un fossé avec des régions de mur et une région inférieure. Régions terminales pour le raccordement électrique de d'abord et en second lieu régions de contact (S, B) sont formés au moins en partie dans le fossé (30).

 
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