In a method for checking the functioning of memory cells of an integrated semiconductor memory, a first group of the memory cells is tested. The test results, separately for each tested memory cell, are buffer-stored in at least triple copies in a second group of the memory cells. A comparison is made between the copies of each of the test results and the evaluation thereof. The addresses of the respective memory cells of the second group are determined by an address transformation. The latter is configured in such a way that significant clusters of functional errors in an error-affected second group of the memory cells do not influence the result of the test method.

In einer Methode für die Überprüfung des Arbeitens der Speicherzellen eines integrierten Halbleiterspeichers, wird eine erste Gruppe der Speicherzellen geprüft. Die Testergebnisse, separat für jede geprüfte Speicherzelle, werden mindestens in den dreifachen Kopien in einer zweiten Gruppe der Speicherzellen Puffer-gespeichert. Wird zwischen den Kopien von jedem der Testergebnisse und der Auswertung davon geverglichen. Die Adressen der jeweiligen Speicherzellen der zweiten Gruppe werden durch eine Adresse Umwandlung festgestellt. Das letzte wird zusammengebaut, so daß bedeutende Blöcke von Funktionsstörungen in einer Störung-beeinflußten zweiten Gruppe der Speicherzellen nicht das Resultat der Testmethode beeinflussen.