The present invention is directed to an improved electroplating method, chemistry, and apparatus for selectively depositing tin/lead solder bumps and other structures at a high deposition rate pursuant to manufacturing a microelectronic device from a workpiece, such as a semiconductor wafer. An apparatus for plating solder on a microelectronic workpiece in accordance with one aspect of the present invention comprises a reactor chamber containing an electroplating solution having free ions of tin and lead for plating onto the workpiece. A chemical delivery system is used to deliver the electroplating solution to the reactor chamber at a high flow rate. A workpiece support is used that includes a contact assembly for providing electroplating power to a surface at a side of the workpiece that is to be plated. The contact contacts the workpiece at a large plurality of discrete contact points that isolated from exposure to the electroplating solution. An anode, preferably a consumable anode, is spaced from the workpiece support within the reaction chamber and is in contact with the electroplating solution. In accordance with one embodiment the electroplating solution comprises a concentration of a lead compound, a concentration of a tin compound, water and methane sulfonic acid.

A invenção atual é dirigida a um método electroplating melhorado, chemistry, e os instrumentos para seletivamente depositar colisões da solda de tin/lead e outras estruturas em um deposition elevado avaliam conforme a manufaturar um dispositivo microelectronic de um workpiece, tal como um wafer de semicondutor. Um instrumento para a solda do chapeamento em um workpiece microelectronic de acordo com um aspecto da invenção atual compreende uma câmara do reator que contem uma solução electroplating que tem íons livres da lata e da ligação para chapear no workpiece. Um sistema químico da entrega é usado entregar a solução electroplating à câmara do reator em uma taxa de fluxo elevada. Uma sustentação do workpiece é usada que inclua um conjunto do contato para fornecer o poder electroplating a uma superfície em um lado do workpiece que deve ser chapeado. O contato contata o workpiece em um plurality grande dos pontos de contato discretos que se isolaram da exposição à solução electroplating. Um ânodo, preferivelmente um ânodo consumível, é espaçado da sustentação do workpiece dentro da câmara da reação e está no contato com a solução electroplating. De acordo com uma incorporação a solução electroplating compreende uma concentração de um composto de ligação, uma concentração de um composto de lata, a água e o ácido sulfonic do methane.