A contact interface having a substantially continuous profile along a
bottom and lower sides of the active surface of the semiconductor
substrate formed within a contact opening is provided. The contact
interface is formed by depositing a layer of conductive material, such as
titanium, using both a high bias deposition and a low bias deposition. The
high bias and low bias deposition may be effected as a two-step deposition
or may be accomplished by changing the bias from a high level to a low
level during deposition, or vice versa. The conductive material may be
converted to a silicide by an annealing process to form the contact
interface.
Un'interfaccia del contatto che ha un profilo sostanzialmente continuo lungo i lati inferiori e più bassi della superficie attiva del substrato a semiconduttore formato all'interno di un'apertura del contatto è fornita. L'interfaccia del contatto è costituita dal depositare uno strato di materiale conduttivo, quale il titanio, usando sia un alto deposito diagonale che un deposito diagonale basso. L'alta polarizzazione ed il deposito diagonale basso possono essere effettuati come deposito in due tappe o possono essere compiuti cambiando la polarizzazione da un livello elevato ad un basso livello durante il deposito, o viceversa. Il materiale conduttivo può essere convertito in silicide tramite un processo di ricottura per formare l'interfaccia del contatto.
