A method is provided, the method comprising processing a workpiece, having
a photolithography overlay target structure disposed thereon, using a
chemical-mechanical planarization (CMP) tool and measuring a
photolithography overlay parameter using the photolithography overlay
target structure. The method also comprises forming an output signal
corresponding to the photolithography overlay parameter measured and to
the chemical-mechanical planarization (CMP) tool used and using the output
signal to improve at least one of accuracy in photolithography overlay
metrology and fault detection in chemical-mechanical planarization (CMP).
Un metodo è fornito, il metodo che contiene procedendo un pezzo in lavorazione, facendo una struttura dell'obiettivo della sovvrapposizione di photolithography disporrsi di su ciò, per mezzo di un attrezzo prodotto-meccanico di planarization (CMP) e misurando un parametro della sovvrapposizione di photolithography usando la struttura dell'obiettivo della sovvrapposizione di photolithography. Il metodo inoltre contiene formare un segnale in uscita che corrisponde al parametro della sovvrapposizione di photolithography misurato ed all'attrezzo prodotto-meccanico di planarization (CMP) utilizzato e che usando il segnale in uscita migliorare almeno uno di esattezza nella metrologia della sovvrapposizione di photolithography e nella localizzazione del guasto in planarization prodotto-meccanico (CMP).
