A fin field effect transistor includes a fin, a source region, a drain
region, a first gate electrode and a second gate electrode. The fin
includes a channel. The source region is formed adjacent a first end of
the fin and the drain region is formed adjacent a second end of the fin.
The first gate electrode includes a first layer of metal material formed
adjacent the fin. The second gate electrode includes a second layer of
metal material formed adjacent the first layer. The first layer of metal
material has a different work function than the second layer of metal
material. The second layer of metal material selectively diffuses into the
first layer of metal material via metal interdiffusion.
Um transistor de efeito de campo da aleta inclui uma aleta, uma região da fonte, uma região do dreno, um primeiro elétrodo de porta e um segundo elétrodo de porta. A aleta inclui uma canaleta. A região da fonte é adjacente dado forma uma primeira extremidade da aleta e a região do dreno é adjacente dado forma uma segunda extremidade da aleta. O primeiro elétrodo de porta inclui uma primeira camada de adjacente dado forma material do metal a aleta. O segundo elétrodo de porta inclui uma segunda camada de adjacente dado forma material do metal a primeira camada. A primeira camada de material do metal tem uma função diferente do trabalho do que a segunda camada de material do metal. A segunda camada de material do metal difunde seletivamente na primeira camada de material do metal através do interdiffusion do metal.
