A semiconductor device and a method of manufacturing the same which yields
high reliability and a high manufacturing yield. The semiconductor device
includes a metal line layer having a plurality of metal line patterns
spaced apart from each other, and at least one underlying layer under the
metal line layer, wherein the space between two adjacent metal line
patterns has a sufficient width to prevent a crack from occurring in one
or more of the underlying layers. The cracking of an underlying layer may
also be prevented by providing a slit in a direction parallel to the space
between two adjacent metal line patterns at a sufficient distance from the
space between the two adjacent metal line patterns.
Ein Halbleiterelement und eine Methode der Produktion dasselbe, das hohe Zuverlässigkeit und ein hohes Herstellung Ergebnis erbringt. Das Halbleiterelement schließt eine Metalllinie die Schicht ein, die eine Mehrzahl der Metalllinie die Muster hat, die abgesehen von einander gesperrt werden, und mindestens eine zugrundeliegende Schicht unter der Metalllinie Schicht, worin der Raum zwischen angrenzender Linie Muster des Metall zwei eine genügende Breite hat, zum eines Sprunges am Auftreten in einem oder mehr der zugrundeliegenden Schichten zu verhindern. Das Knacken einer zugrundeliegenden Schicht kann auch verhindert werden, indem man einen Schlitz in einer Richtung zur Verfügung stellt, die zum Raum zwischen angrenzender Linie Muster des Metall zwei in einem genügenden Abstand vom Raum zwischen der angrenzenden Linie Muster des Metall zwei parallel ist.
