Disclosed is an optical semiconductor device which has a quantum well
structure comprising a quantum well made of a zinc oxide or a zinc oxide
mixed crystal thin film, and utilizes optical transition between subbands
in the quantum well structure. An element of this device can be formed as
a film on a transparent substrate or a plastic substrate at a temperature
of 200.degree. C. or lower. The quatum well structure includes a barrier
layer made of an insulating material such as ZnMgO; a homologous compound
expressed by the following general formula: RMO.sub.3 (AO)m, wherein R=Sc
or In, M=Fe, Cr, Ga or Al, A=Zn, Mg, Cu, Mn, Fe, Co, Ni or Cd, and m=a
natural number; or (Li, Na)(Ga, Al)O.sub.2. The optical semiconductor
device is capable of using a transparent or plastic substrate as its
substrate, and achieving a high-efficient wide-band light-emitting or
receiving device and an ultrafast optical moderation or switching
applicable to an optical communication system requiring one terabit/sec or
more of data transmission speed.
È rilevato un dispositivo ottico a semiconduttore che ha una struttura del pozzo di quantum contenere un quantum fatto bene di un ossido dello zinco o di una pellicola sottile di cristallo mescolata ossido dello zinco ed utilizza la transizione ottica fra i subbands nella struttura del pozzo di quantum. Un elemento di questo dispositivo può essere formato come pellicola su un substrato trasparente o su un substrato di plastica ad una temperatura di 200.degree. Il C. o si abbassa. La struttura del pozzo di quatum include uno strato di sbarramento fatto di un materiale isolante quale ZnMgO; un residuo omologo espresso dalla seguente formula generale: RMO.sub.3 (AO)m, in cui R=Sc o dentro, M=Fe, Cr, Ga o Al, A=Zn, magnesio, Cu, manganese, Fe, Co, Ni o Cd e numero naturale di m=a; o (Li, Na)(Ga, Al)O.sub.2. Il dispositivo ottico a semiconduttore è capace di usando un substrato trasparente o di plastica come relativo substrato e di realizzare un dispositivo luminescente o di ricezione a larga banda alto-efficiente e una moderazione o una commutazione ottica del ultrafast applicabile ad un sistema di comunicazione ottico che richiede un terabit/sec o più di velocità della trasmissione di dati.
