A method of aligning a plurality of empty-spaced buried patterns formed in
semiconductor monocrystalline substrates is disclosed. In an exemplary
embodiment, high-temperature metal marks are formed to include a
conductive material having a melting temperature higher than an annealing
temperature used to form such empty-spaced buried patterns. The
high-temperature metal marks are formed prior to the formation of the
empty-spaced buried patterns formed in a monocrystalline substrate, so
that the empty-space buried patterns are aligned to the marks. Subsequent
semiconductor structures that are formed as part of desired semiconductor
devices can be also aligned to the marks.
Un método de alinear una pluralidad de patrones enterrados vaci'o-espaciados formó en semiconductor que se divulgan los substratos monocristalinos. En una encarnación ejemplar, las marcas de alta temperatura del metal se forman para incluir un material conductor que tiene una temperatura que derrite más arriba que una temperatura del recocido usada para formar tales los patrones enterrados vaci'o-espaciados. Las marcas de alta temperatura del metal se forman antes de la formación de los patrones enterrados vaci'o-espaciados formados en un substrato monocristalino, para alinear los patrones enterrados vaci'o-espacio con las marcas. Las estructuras subsecuentes del semiconductor que se forman como parte de los dispositivos de semiconductor deseados se pueden también alinear con las marcas.
