A method of precluding diffusion of a metal into adjacent chalcogenide
material upon exposure to a quanta of actinic energy capable of causing
diffusion of the metal into the chalcogenide material includes forming an
actinic energy blocking material layer over the metal to a thickness of no
greater than 500 Angstroms and subsequently exposing the actinic energy
blocking material layer to said quanta of actinic energy. In one
implementation, an homogenous actinic energy blocking material layer is
formed over the metal and subsequently exposed to said quanta of actinic
energy. A method of forming a non-volatile resistance variable device
includes providing conductive electrode material over chalcogenide
material having metal ions diffused therein. An actinic energy blocking
material layer is formed on the conductive electrode material, the actinic
energy blocking material layer being effective to shield actinic energy
from reaching an interface of the conductive electrode material and the
actinic energy blocking material to substantially preclude diffusion of
the conductive electrode material into the chalcogenide material upon
exposure to said actinic energy. A dielectric layer is formed on the
actinic energy blocking material layer. The conductive electrode material
is formed into a first electrode. A second electrode is provided proximate
the chalcogenide material having the metal diffused therein. Non-volatile
resistance variable devices manufacture by these and other methods are
contemplated.
Un metodo di preclusione della diffusione di un metallo nel materiale adiacente di chalcogenide su esposizione ai quantum di energia attinica capaci di causare la diffusione del metallo nel materiale di chalcogenide include formare un'energia attinica che ostruisce lo strato materiale sopra il metallo ad uno spessore di no più notevolmente di 500 angstroms e successivamente che espone l'energia attinica che ostruisce lo strato materiale ai quantum detti di energia attinica. In un'esecuzione, un'energia attinica homogenous che ostruisce lo strato materiale è formata sopra il metallo e successivamente è esposta ai quantum detti di energia attinica. Un metodo di formare un dispositivo variabile di resistenza non volatile include fornire il materiale conduttivo dell'elettrodo sopra il materiale di chalcogenide che fa gli ioni del metallo diffondersi in ciò. Un'energia attinica che ostruisce lo strato materiale è formata sul materiale conduttivo dell'elettrodo, l'energia attinica che ostruisce lo strato materiale che è efficace proteggere l'energia attinica dal raggiungere un'interfaccia del materiale conduttivo dell'elettrodo e l'energia attinica che ostruisce il materiale per precludere sostanzialmente la diffusione del materiale conduttivo dell'elettrodo nel materiale di chalcogenide su esposizione ad energia attinica detta. Uno strato dielettrico è formato sull'energia attinica che ostruisce lo strato materiale. Il materiale conduttivo dell'elettrodo è formato in un primo elettrodo. Un secondo elettrodo è fornito prossimo il materiale di chalcogenide che fa diffondersi il metallo in ciò. La fabbricazione variabile dei dispositivi di resistenza non volatile da questi ed altri metodi sono contemplati.
