A method of fabricating relaxed SiGe buffer layers with low threading
dislocation densities on silicon-on-insulator (SOI) substrates is
provided. The relaxed SiGe buffer layers are fabricated by the epitaxial
deposition of a defect-free Stranski-Krastanov Ge or SiGe islands on a
surface of the SOI substrate; the capping and planarizing of the islands
with a Si or Si-rich SiGe layer, and the annealing of the structure at
elevated temperatures until intermixing and thereby formation of a relaxed
SiGe layer on the insulating layer (i.e., buried oxide layer) of the
initial SOI wafer is achieved. The present invention is also directed to
semiconductor structures, devices and integrated circuits which include at
least the relaxed SiGe buffer layer mentioned above.
Обеспечен метод изготовлять ослабленные слои буфера SiGe с низкими продевая нитку плотностями вывихивания на субстратах кремни-на-izol4tora (SOI). Ослабленные слои буфера SiGe изготовлены эпитаксиальным низложением островов defect-free Stranski-Krastanov ge или SiGe на поверхности субстрата SOI; покрывать и planarizing островов с кремнием или Кремни-bogatym слоем SiGe, и отжиг структуры на повышенных температурах до перемешивать и таким образом образование ослабленного слоя SiGe на изолируя слое (т.е., похороненном слое окиси) первоначально вафли SOI не достигнуть. Присытствыющий вымысел также направлен к структурам полупроводника, приспособлениям и интегрированным цепям которые вклюают по крайней мере ослабленный слой буфера SiGe упомянутый выше.
