A method of making a semiconductor device is described. That method
comprises forming a conductive layer that contacts a via, such that the
conductive layer includes a higher concentration of an electromigration
retarding amount of a dopant near the via than away from the via.
Een methode van het maken wordt een halfgeleiderapparaat beschreven. Die methode bestaat uit het vormen van een geleidende laag die a via contacteert, dusdanig dat de geleidende laag een hogere concentratie van een elektromigratie ophoudende hoeveelheid additief dichtbij via dan vanaf via omvat.
