In connection with a nitride semiconductor laser device optimal for example
for optical pickup and an optical information reproduction apparatus
having superior condensation characteristics, the semiconductor laser
device includes a substrate of nitride semiconductor, a lower clad layer
of nitride semiconductor stacked thereon, an active layer stacked thereon,
an upper clad layer of nitride semiconductor stacked thereon, and a
contact layer of Al.sub.a In.sub.b Ga.sub.1-a-b N stacked thereon having a
lattice constant larger than the substrate of nitride semiconductor, and
the device is cleaved and thus divided to have a surface serving as a
resonator mirror.
В связи с приспособлением лазера полупроводника нитрида оптимальным например для оптически чувствительного элемента и оптически прибора воспроизводства информации имея главные характеристики конденсации, приспособление лазера полупроводника вклюает субстрат штабелированного полупроводника нитрида, более низкий clad слой полупроводника нитрида штабелированный thereon, активно слой штабелированного thereon, верхний clad слой полупроводника нитрида штабелированный thereon, и слой контакта Al.sub.a In.sub.b Ga.sub.1-a-b н thereon имеющ большой решетки постоянн чем субстрат полупроводника нитрида, и приспособление о и таким образом разделено для того чтобы иметь поверхностную сервировку как зеркало резонатора.
