A method for fabricating a thin film array substrate for a liquid crystal
display includes steps of forming a gate line assembly and a common
electrode line assembly on a first substrate. The gate line assembly
includes a plurality of gate lines and gate pads, and the common electrode
line assembly includes common signal lines and common electrodes.
Thereafter, a gate insulating layer is formed on the first substrate, and
a semiconductor pattern and an ohmic contact pattern are formed on the
gate insulating layer. A data line assembly and pixel electrodes are then
formed on the first substrate. The data line assembly includes a plurality
of data lines, data pads, and source and drain electrodes. The pixel
electrodes are connected to the drain electrodes while proceeding parallel
to the common electrodes. A passivation layer is formed on the substrate.
The passivation layer and the gate insulating layer are etched such that
the gate pads and the data pads are exposed to the outside. At this time,
the etching is performed after an assembly process where a second
substrate is arranged to face the first substrate and assembled together
and the passivation layer and the gate insulating layer are exposed
outside of the second substrate.
Μια μέθοδος για ένα υπόστρωμα σειράς λεπτών ταινιών για μια υγρή επίδειξη κρυστάλλου περιλαμβάνει τα βήματα της διαμόρφωσης μιας συνέλευσης γραμμών πυλών και μιας κοινής συνέλευσης γραμμών ηλεκτροδίων σε ένα πρώτο υπόστρωμα. Η συνέλευση γραμμών πυλών περιλαμβάνει μια πολλαπλότητα των γραμμών πυλών και των μαξιλαριών πυλών, και η κοινή συνέλευση γραμμών ηλεκτροδίων περιλαμβάνει τις κοινές γραμμές σημάτων και τα κοινά ηλεκτρόδια. Έκτοτε, ένα στρώμα μόνωσης πυλών διαμορφώνεται στο πρώτο υπόστρωμα, και ένα σχέδιο ημιαγωγών και ένα ωμικό σχέδιο επαφών διαμορφώνονται στο στρώμα μόνωσης πυλών. Τα ηλεκτρόδια στοιχείων γραμμών συνελεύσεων και εικονοκυττάρου διαμορφώνονται έπειτα στο πρώτο υπόστρωμα. Η συνέλευση γραμμών στοιχείων περιλαμβάνει μια πολλαπλότητα των γραμμών στοιχείων, των μαξιλαριών στοιχείων, και των ηλεκτροδίων πηγής και αγωγών. Τα ηλεκτρόδια εικονοκυττάρου συνδέονται με τα ηλεκτρόδια αγωγών προχωρώντας παράλληλος στα κοινά ηλεκτρόδια. Ένα στρώμα παθητικότητας διαμορφώνεται στο υπόστρωμα. Το στρώμα παθητικότητας και το στρώμα μόνωσης πυλών χαράζονται έτσι ώστε τα μαξιλάρια πυλών και τα μαξιλάρια στοιχείων εκτίθενται στο εξωτερικό. Αυτή τη στιγμή, η χαρακτική εκτελείται μετά από μια διαδικασία συνελεύσεων όπου ένα δεύτερο υπόστρωμα κανονίζεται για να αντιμετωπίσει το πρώτο υπόστρωμα και συγκεντρώνεται μαζί και το στρώμα παθητικότητας και το στρώμα μόνωσης πυλών εκτίθενται έξω από το δεύτερο υπόστρωμα.
